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Filterergebnisse
NEW JERSEY SEMI
STP5NA80
TRANSISTOR MOSFET 3PIN 4.7AMP 2.4OH 30 GATE
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NEW JERSEY SEMI
MJ16008
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, NPN, SILICON, METAL, 2 PIN
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2N3762
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON
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BUZ64
TRANSISTOR, 400V, 11.5A, N-CHANNEL, 2 PIN, TO-204-AA
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D40C8
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-202
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2SK513
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, POWER FIELD-EFFECT, 3A I(D), 1-ELEMENT, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220, 3 PIN
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1N963B
ZENER DIODE, 12V V(Z), 5%, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL, DO-35
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BD245C
TRANSISTOR, NPN SILICON, 10A CONTINUOUS CURRENT, 15A PEAK CURRENT, 80W AT 25C CSSE TEMP, SOT-93
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C106F2
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 4A I(T)RMS, 2.4A I(T), 50V V(DRM), 1 ELEMENT, TO-202AB
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MDA970A5
NEW JERSEY SEMI , MDA970A5 , BRIDGE RECTIFIER , DIODE RECTIFIER BRIDGE SINGLE 1KV 4A 4PIN RS-4L , 700V PEAK RMS REVERSE VOLTAGE , 1000V PEAK REVERSE REPETITIVE VOLTAGE
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TIP51
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-218, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN
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TND918
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 8 ELEMENT, 0.05A, 75V V(RRM), SILICON, DIP-16
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NEW JERSEY SEMI
TYP512
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 12A I(T)RMS, 12000MA I(T), 50V V(DRM), 50V, TO-220
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2N718A
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE VCEO MAX:32V, COLLECTOR- BASE VOLTAGE VCBO: 75V, MAXIMUM DC COLLECTOR CURRENT: 150 MA, PACKAGE / CASE:TO-18
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2SK683
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 1-ELEMENT, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-3P
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MCC220-16IO1
THYRISTOR, SCR MODULE, 1.6KV, 400A, -40 TO 140 DEG. C, CHASSIS MOUNT, Y2-DCB
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BC307A
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON, 3-PIN, TO-92
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BC177B
TRANSISTOR, SMALL SIGNAL BIPOLAR, 0.1 A I(C), 45 V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON, TO-18
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S20410
RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 12A, 100V V(RRM), SILICON, DO-203AA
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2N5108
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.4A I(C), HIGH FREQUENCY, 1-ELEMENT, SILICON, NPN, TO-39
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C106D4
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 4A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 ELEMENT, TO-225AA 3 PIN SMD
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BUS48P
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, SWITCHMODE II SERIES, NPN, SILICON, 400~850 VDC (COLLECTOR), 15~60 A (COLLECTOR), 150 W MAX. POWER DISSIPATION
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151RC120
POWER RECTIFIER DIODE W/7IN CABLE
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1N432B
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIODE, SEMICONDUCTOR DIODE
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BSV15-10
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON, TO 39 CAN 3 PIN
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Z6039U
TVS DIODE, UNIDIRECTIONAL, AXIAL, 39V, 1.5KW, -40 TO 125 DEG. C, 5.3X9 MM
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BTA10-400C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRIAC, STANDARD, 400V, 10A, THROUGH HOLE, TO-220
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D40D8
TRANSISTOR, 1 AMP, 60 VOLTS, TO-202 PACKAGE, (3) RADIAL LEADS, FAST SWITCHING
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MR2401
RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 24A, 100V V(RRM), SILICON, TO-220AC
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MJE1320
SILICON POWER TRANSISTOR, TO-220 PACKAGE, HIGH VOLTAGE, LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE,
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MTM25N10
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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2SC2518
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-220AB, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN
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2N1778
SCR, 300V VRRM, THYRISTOR, 300V 60A, 3-PIN, TO-64
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2N6560
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 10A IC, 1-ELEMENT, NPN, TO-3
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30MF40R
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 30A, 400V V(RRM)
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2N5819
SILICON AF POWER TRANSISTOR, CASE TO-92F
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NP16DT
RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 2 ELEMENT, 16A, 200V V(RRM), SILICON, TO-220AB
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